本项目为企业公开技术需求,研发埠不提供任何对接服务。如有意向者,请直接联系该企业对接人员。
需求名称 | 大功率、高性能电力电子芯片及变频用大功率模块项目 | ||||
单位名称 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | ||||
单位地址 | 扬州维扬经济开发区创业园中路26号 | ||||
联 系 人 | 孙越 | 办公电话 | 0514-80983638 | 手机 | 15252761633 |
传真电话 | 邮箱 | Yjslq@21yangjie.com | |||
合作方式 | 技术合作 | 产业领域 | 机械 | ||
企业基本情况 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年,是一家电子行业的上市公司,总部位于江苏省扬州市。 主营业务为分立器件芯片、功率二极管、整流桥及电力电子模块等半导体分立器件产品的研发、制造与销售。 | ||||
简要描述引进该技术的目的和用途 | 提高FRED芯片的软恢复特性,软度因子可以做到1.5以上。 整流芯片的反向转折电压可以达到2300—2500V,耐反向浪涌电压和反向浪涌电流可以达到6KV/30A,最高结温可达200℃。在芯片的钝化保护上,采用Sipos、玻璃、LTO三层钝化保护技术。 需要共同研发变频用大功率IGBT模块采用真空焊接工艺及甲酸或氢气辅助焊接技术能够最大限度减少焊接空洞率,达到单孔< 0.5%、整体空洞率<2%的标准。采用双面铜薄厚度0.3mm、陶瓷厚度0.38mm的结构设计,热导率可以提高39.8%。能承受最低3500V的绝缘耐压,减少在使用中瞬态高压对模块的冲击。 1、研发五层渐变扩散技术、沟槽技术和氮化硅钝化保护技术, 2、研发变频用大功率IGBT模块采用真空焊接工艺及甲酸或氢气辅助焊接技术 3、大功率、高性能电力电子FRED芯片研发双外延技术和低浓度扩散技术、电子辐照技术。 | ||||
预期完成目标 | 在全球经济发展中,功率半导体的需求一直旺盛,电力电子器件的发展前景良好。据预测,2012年功率半导体在我国市场的销售额将占全球的50%,将带动电力电子技术及产业的高速发展。预测2012年FRED模块、IGBT模块产品全球市场规模将超过100亿美元。“十一五”期间,我国电力电子器件年平均增长速度超过30%。在分立器件中,大功率变频用新型电力半导体器件是增长最快的器件之一。目前中国市场的功率半导体器件有接近90%需要进口,大功率变频用模块被几家国际品牌所垄断,因此,中国掌握功率半导体核心技术的企业,未来会面临巨大的替代进口的市场空间。 | ||||
拟投资金 | 9560万 |